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      天岳先進Q1虧損2815余萬元但實現(xiàn)減虧 上海臨港工廠預(yù)計今年上半年量產(chǎn)交付

      來源:科創(chuàng)板日報記者2023-04-27 08:45:20

      《科創(chuàng)板日報》4月27日訊(記者 郭輝)碳化硅材料制造商天岳先進昨日晚間披露2023年一季度財報,期內(nèi)實現(xiàn)營收1.93億元,同比增長185.44%;歸母凈利潤虧損2815余萬元,同比、環(huán)比均實現(xiàn)減虧。


      (資料圖片僅供參考)

      同步披露的2022年財報則顯示,該公司上一年度營收凈利雙降。其中營收實現(xiàn)4.17億元,同比減少15.56%;歸母凈利潤由盈轉(zhuǎn)虧,虧損額高達1.75億元。

      關(guān)于過去一年的業(yè)績變動,天岳先進表示,2022年國內(nèi)外經(jīng)濟形勢變化及宏觀因素,對公司上海臨港新建產(chǎn)能進度造成不利影響。在訂單交付壓力之下,天岳先進去年調(diào)整了原有濟南工廠產(chǎn)能,逐步加大導電型襯底產(chǎn)能產(chǎn)量。其間出現(xiàn)了產(chǎn)線、設(shè)備調(diào)整等導致臨時性產(chǎn)能下滑,進而影響營業(yè)收入和綜合毛利率等下降。

      此外,該公司表示,為新建產(chǎn)能投產(chǎn)所招聘的人員數(shù)量較大,導致報告期薪酬支出大幅上升,對凈利潤影響較大。

      可以看到隨著濟南工廠產(chǎn)能調(diào)整,天岳先進2022年各季度產(chǎn)量和營業(yè)收入持續(xù)上升。不過去年Q2至Q4歸母凈利潤虧損同步環(huán)比擴大,直至今年一季度才有所改善。

      關(guān)于最新產(chǎn)能建設(shè)進展,天岳先進方面表示,截至2022年底,公司濟南工廠的產(chǎn)能調(diào)整已經(jīng)順利達到預(yù)期目標,上海臨港工廠的建設(shè)也取得階段性成果。財報顯示,2022年,公司新建的上海工廠已經(jīng)完成第一階段的機電安裝,預(yù)計2023年上半年實現(xiàn)量產(chǎn)交付。

      “產(chǎn)能調(diào)整對營業(yè)收入產(chǎn)生的不利影響已經(jīng)得以緩減,隨著上海臨港工廠的投產(chǎn)運行和產(chǎn)能產(chǎn)量的持續(xù)提升,預(yù)期營業(yè)收入將恢復增長趨勢。”

      據(jù)了解,天岳先進當前碳化硅襯底年產(chǎn)能為7.1萬片,上海臨港工廠今年量產(chǎn)后,最新預(yù)計2026年實現(xiàn)達產(chǎn),屆時對應(yīng)6寸導電型SiC產(chǎn)能襯底30萬片/年。

      《科創(chuàng)板日報》記者關(guān)注到,僅從規(guī)劃產(chǎn)能及建設(shè)進展來看,天岳先進較國內(nèi)其他碳化硅企業(yè)并不占據(jù)顯著優(yōu)勢。比如,三安光電子公司湖南三安半導體一期工程已經(jīng)量產(chǎn),6英寸碳化硅晶圓年產(chǎn)能達到20萬片,而二期工程預(yù)計2023年年底投產(chǎn),6英寸碳化硅晶圓年產(chǎn)能將達50萬片。

      此外,露笑科技今年碳化硅襯底產(chǎn)能預(yù)計在今年內(nèi)實現(xiàn)20萬片/年的規(guī)劃,東尼電子年產(chǎn)12萬片碳化硅半導體材料項目也預(yù)計在今年11月達產(chǎn)。

      但是產(chǎn)能擴張競賽之外,各廠商生產(chǎn)良率以及8英寸研發(fā)進展同樣意義重大。不僅在一定程度上決定之后的市場格局,同時產(chǎn)能和良率將推動成本優(yōu)化,有助于碳化硅滲透率提升,帶來行業(yè)增長普惠。

      不過目前眾廠商并不愿公開過多透露良率數(shù)據(jù)。其中天岳先進去年11月接受投資者調(diào)研時,面對良率情況的追問,表示公司6英寸導電型襯底的良率隨著產(chǎn)能爬坡正處于持續(xù)提升過程中,“公司長晶厚度、良率處于行業(yè)內(nèi)領(lǐng)先水平”。

      8英寸晶圓面積將制造芯片的可用面積幾乎可以擴大一倍,若實現(xiàn)突破將大大緩解當前產(chǎn)能壓力。“海外碳化硅巨頭科銳、Wolfspeed目前的8英寸全自動化工廠還沒有完全量產(chǎn),”一位產(chǎn)業(yè)人士告訴《科創(chuàng)板日報》記者,“不過預(yù)計今年將會是歐美企業(yè)的8英寸碳化硅元年,而國內(nèi)的投入才剛剛開始”。

      天岳先進在8英寸SiC襯底研發(fā)進展方面,2022年該公司通過前期持續(xù)自主擴徑,已制備高品質(zhì)8英寸導電型碳化硅襯底,晶型均一穩(wěn)定,具有良好的結(jié)晶質(zhì)量。

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